市场研究机构Counterpoint Research最新数据显示，2025年第三季度，三星电子凭借存储芯片业务的强劲表现，从SK海力士手中重新夺回全球存储芯片市场销售额第一的宝座。
存储芯片的核心制造环节高度依赖有色金属材料。在DRAM中，金属钌（Ru）作为电容电极材料，其导电性和抗电迁移特性直接影响存储单元的稳定性和寿命，当前钌电极材料已占据DRAM制造成本的12%-15%。NAND闪存制造则依赖铜（Cu）互连技术，7nm以下先进制程需采用铜-钽复合结构阻挡层，铜用量占芯片金属材料的60%以上。此外，钴（Co）在晶体管接触层中的应用可降低30%接触电阻，成为5nm以下工艺的关键材料。
当前存储芯片与有色金属的关联正从单向需求驱动转向双向技术赋能。随着存算一体芯片、3D堆叠等新架构的普及，钽（Ta）、铟（In）等稀有金属的战略价值将持续提升，而金属新材料如钌、氧化镓等的突破，或将重塑存储芯片的技术竞争格局。
具体来看，三星电子当季存储芯片（含DRAM、NAND闪存及其他存储产品）总销售额达194亿美元，环比增长25%，显著超越SK海力士同期175亿美元的销售额（同比增长13%）。
Counterpoint分析师指出，三星的复苏主要得益于两大核心动力：其一，高带宽存储器（HBM）等新一代存储产品在AI算力需求爆发下供不应求，贡献了季度营收的35%增量；其二，NAND闪存业务通过3D堆叠技术升级，成本下降12%，市场份额提升至38%（环比增4个百分点）。
对于后市，Counterpoint预测，三星电子有望在2026年实现全面复苏，HBM3E/HBM4等先进产品的规模化量产将进一步巩固其技术领先地位。同时，若第四季度存储芯片需求延续“AI+消费电子”双轮驱动态势，三星或将连续两个季度保持全球第一位置。
SK海力士虽暂居次席，但其175亿美元的销售额仍创历史同期新高，主要受益于服务器DRAM订单回暖及移动端NAND闪存出货量增长。业内分析认为，存储芯片行业正从“周期底部”向“技术主导”阶段过渡，头部厂商的技术储备与产能灵活性将成为下一阶段竞争关键。
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