三星HBM3E芯片遇阻英伟达验证关口，2026年战略或迎重大转向
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全球存储芯片巨头三星电子正面临关键技术验证的生死时速。据韩国业界消息，三星目标在2025年7月至8月间通过英伟达对12层HBM3E（高带宽内存）芯片的品质验证测试，若未能如期达标，其2026年HBM产品线战略或将被迫大幅修正，甚至可能彻底放弃HBM3E，转而押注下一代HBM4技术。
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